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联电与IBM共同开发10nm制程

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摘要:联电与IBM共同开发10nm制程
13日,联电(2303-TW)(UMC-US)与IBM(IBM-US)共同宣布,联电将加入IBM技术开发联盟,共同开发10奈米CMOS制程技术。

联电与IBM两家公司此次的协议,拓展了双方于2012年签订之14奈米FinFET合作协议。拥有IBM的支援与know-how,联电将可持续提升其内部自行研发的14奈米FinFET技术,针对行动运算与通讯产品,提供富竞争力的低耗电优化技术。

双方计划开发10奈米制程基础技术,以满足联电客户的需求。联电将指派工程团队加入位于美国纽约州阿尔巴尼(Albany,New York)的10奈米研发计划,而联电14奈米FinFET与10奈米未来的制造,则将台湾南科的研发中心进行。

IBM半导体研发副总Gary Patton表示,IBM联盟成立至今已逾十年,联盟夥伴可整合运用IBM的专业知识,团队研究合作与创新的技术研发,藉此满足对先进半导体应用产品与日俱增的需求。联电的加入,将使联盟的实力更加强大。

联电执行长颜博文表示,IBM为众所公认的半导体技术领导者。联电十分高兴与IBM在先进制程领域携手合作,贡献该公司多年来开发高竞争力制造技术所累积的经验。身为世界顶尖的晶圆专工厂之一,联电肩负着适时推出尖端制程,以实现客户次世代晶片设计的使命与承诺。该公司期待与IBM密切合作,借重其深厚的技术专业来缩短10奈米与FinFET 的研发周期,为联电与客户缔造双赢。
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